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砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外，还可以用于制作转移器件──体效应器件。砷化镓是半导体材料中，兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能，但由于它在高温下分解，故要生产理想化学配比的高纯的单晶材料，技术上要求比较高。
美国针对含(g/t) ：Pt 1220，Pd 170，Rh140 的废催化剂，以金属铁粉为捕集剂,少量碳作还原剂，加石灰熔剂进行等离子熔炼(破碎后的粉状废催化剂:石灰:铁:碳~100:10:1~3:1)。熔炼温度约 1500℃，所有粉状物料混合后喷射入炉，传热、传质快。载体与熔剂化合转变为炉渣，获得带磁性的含铂族金属约 7%的铁合金，可以磁选回收。铁合金相的产率，即铂族金属在铁合金中的富集倍数，取决于铁粉加入量，报道的熔炼回收率(%) ：Pt>99，Pd >98，Rh约 87。
对于 Pt、Pd、Rh 含量 1000～2000g/ t 的汽车废催化剂，我国采用加压氰化法提取其中的 Pt、Pd、Rh，废催化剂预处理脱除载体中的油污、积碳，通过 2 次加压氰化浸出，Pt、Pd、Rh 的回收率分别达到 95%～96%、97%～98%、90%～92%。虽然，工艺中使用的氰化物有毒，但在高温高压下溶液中的氰化物被转化为的碳酸盐，残余氰化物浓度很底，排放无害。